高通在去年发布的骁龙8 gen 2芯片已经足够优秀，但没想到又透露即将推出8 gen 3芯片，其性能将比8 gen 2再提升25%，将会采用台积电最新的3nm制程工艺打造，并且比8 gen 2还多一个能效核心，这也是性能提升的一个关键，并且该芯片还可能提前发布。
骁龙8 gen3相关信息
高通在去年 11 月发布了骁龙 8 Gen 2 芯片，基于台积电 4nm 工艺。今年可能会有骁龙 8+ Gen 2 芯片，性能会更强。高通也可能会跳过推出 Plus 版 SoC，但将在今年晚些时候推出骁龙 8 Gen 3 芯片。
骁龙 8 Gen 2 芯片峰值频率为 3.2GHz，三星 Galaxy S23 系列中的骁龙 8 Gen 2 超频版本峰值时钟速度为 3.36GHz。预计今年推出的骁龙 8 Gen 3 芯片将带来更好的性能，同时降低功耗。
骁龙 8 旗舰芯片通常在每年 Q4 推出，此前为 12 月初，去年提前到 11 月 16 日。近期微博博主 @数码闲聊站 称，今年骁龙 8 Gen 3 芯片还会提早一丢丢发布（预计将在 2023 年 10 月底或 11 月初）。不过各厂商的手机排期仍然是 Q4 季度。
目前关于骁龙 8 Gen 3 芯片的细节尚不清楚。据曝光的跑分显示，骁龙 8 Gen 3 芯片的 CPU 性能将比骁龙 8 系列 SoC 提升 25%。骁龙 8 Gen 3 for Galaxy 芯片在 Geekbench 早期测试中，单核分数为 1930, 多核分数为 6236。
消息称骁龙 8 Gen 3 for Galaxy 将采用 1+5+2 核心配置，比当前骁龙 8 Gen 2 for Galaxy 的 1+4+3 设置多一个能效核心。得益于台积电 N4P 工艺节点，其能效可能比骁龙 8 Gen 2 高出 20%。
